Ученые ДВФУ улучшили нанопроволоки для многоуровневой памяти

В Минобрнауки РФ сообщили, что ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) усовершенствовали магнитные нанопроволоки, которые могут применяться для хранения информации. Вместо одного металла теперь используют два слоя: кобальтовый и никелевый. Такая конструкция позволяет размещать структуры ближе друг к другу и потенциально записывать больше данных на той же площади, пишет ТАСС.

Ученые подключили к отдельной нанопроволоке четыре контакта и измерили ее сопротивление под воздействием магнитного поля. В образцах с кобальтом и никелем изменение сопротивления достигло 1%.

В ведомстве отметили, что также были зафиксированы два последовательных этапа переключения между магнитными состояниями, что может стать основой многоуровневой памяти.

Разработка пока находится на стадии изучения отдельных наноструктур. Специалистам предстоит проверить стабильность состояний, а также воспроизводимость записи и считывания данных.