Micron перепрыгнет через поколение и выпустит 3D NAND с более чем 400 слоями в следующем году — она будет на 50 % быстрее

Micron решила перепрыгнуть через десятое поколение флеш-памяти и готовит сразу 3D NAND G11 — с более чем 400 слоями вместо 276 у нынешней G9. Компания обещает не просто нарастить плотность хранения данных, но и ускорить передачу информации на 50 %, одновременно снизив энергозатраты. Новая память рассчитана в том числе на будущие ИИ-системы, а её массовый выпуск начнётся во второй половине 2027 года.

«Мы занимаем очень прочные позиции благодаря нашей технологии NAND девятого поколения (Gen 9), и это лидерство сохранится в одиннадцатом поколении (Gen 11). Это значительный качественный скачок. Мы оптимизировали эту память — целенаправленно подготовили ее для будущих продуктов в сфере искусственного интеллекта; именно поэтому мы переходим с 9-го сразу на 11-е поколение», — сообщил в ходе вебинара президент и директор по технологиям и продуктам Micron Скотт ДеБур (Scott DeBoer).

Исходя из ранее озвученного для G9 (тип TLC) показателя в 21 Гбит/мм², эксперты ComputerBase оценивают плотность записи данных для G11 примерно в 42 Гбит/мм², отметив, что это лишь оценочное значение, а также следует учитывать, что чипы типов TLC и QLC нельзя сравнивать напрямую, а Micron не уточнила, о каком типе памяти идёт речь.

В поколении G11 также будет использоваться технология соединения пластин wafer-on-wafer bonding, при которой массив ячеек памяти и схема I/O производятся на отдельных пластинах, а затем соединяются друг с другом. Первой этот подход внедрила компания YMTC, за ней последовали Kioxia, SanDisk и Samsung.

Компания также сообщила, что скорость интерфейса возрастёт до 50 % по сравнению с поколением G9. Учитывая, что для G9 этот показатель составляет 3,6 Гбит/с, для G11 он достигнет примерно 5,4 Гбит/с. Для сравнения, по данным ComputerBase, скорость передачи данных для BiCS10 составляет 4,8 Гбит/с, а Samsung для своего поколения V10 указала 5,6 Гбит/с. Micron также сообщает, что энергозатраты на передачу одного бита данных в поколении G11 меньше по сравнению с G9 более чем на четверть.

По заявлению Micron, массовое производство памяти G11 NAND начнётся во второй половине 2027 года. Следовательно, потребительские SSD на её основе появятся ещё позже.

В дорожной карте компании нет упоминания о поколении G12, хотя сообщается об «архитектуре ячеек сверхвысокой плотности» (Ultra Dense cell architecture) и «прорывном материале с высокой подвижностью носителей заряда». Как полагает ресурс ComputerBase, это указывает на уменьшение размера ячеек (или шага их размещения) и, вероятно, на замену каналов из поликремния на материал, обеспечивающий более высокую подвижность электронов.