Китайский стартап собрал прототип источника излучения для EUV-литографии

4 часов назад 3

Георгий ГоловановСегодня, 01:33 PM

Китайский стартап Langdao Silex представил на Китайской международной промышленной выставке в Шанхае прототип источника экстремального ультрафиолетового (EUV) излучения — «сердца» передовых литографических систем. По словам представителя компании, установка на 90% состоит из компонентов местного производства. Ее создание стало важным, пусть и начальным этапом в стремлении Пекина добиться полной независимости в производстве оборудования для выпуска передовых микросхем.

Самые интересные технологические и научные новости выходят в нашем телеграм-канале Хайтек+. Подпишитесь, чтобы быть в курсе.

Не имея возможности закупать литографические инструменты EUV у ASML, нидерландского производителя оборудования для полупроводниковой промышленности, Китай вынужден разрабатывать такие системы самостоятельно. Стаптап Langdao Silex, основанный в 2024 году выпускниками Университета Цинхуа, показал на 26-й Китайской международной промышленной ярмарке в Шанхае прототип источника экстремального ультрафиолетового излучения. Разработчики назвали устройство мощностью более 15 Вт важнейшим шагом на пути к промышленной эксплуатации отечественных источников EUV. Впрочем, как отмечается в материале, до начала серийного производства остается еще «от трех до пяти лет».

Как и современные источники экстремального ультрафиолета компании ASML, китайская установка FlintNano LPP-OXXO генерирует плазму с помощью лазера. Система оснащена лазером накачки мощностью 1000 Вт с рабочей частотой от 1 кГц до 20 кГц и коэффициентом преобразования энергии более 2%. Выходная мощность излучения превышает 15 Вт, а яркость достигает 100 Вт/(мм²·ср). Источник характеризуется значением этандю 1 × 10⁻³ мм²·ср и генерирует плазму диаметром 60 мкм.

Согласно техническим характеристикам Langdao, система FlintNano LPP-OXXO способна непрерывно работать более 100 часов при стабильности плазмы на уровне 3% и стабильности выходной мощности EUV-излучения на уровне 5%. Эти параметры позволяют использовать систему для проведения экспериментов по экспонированию полупроводниковых пластин, хотя для серийного производства чипов ее выходной мощности все еще недостаточно, пишет Tom’s Hardware.

Langdao утверждает, что 90% компонентов прототипа имеют отечественное происхождение и что большинство важнейших деталей разработано в Китае. Конечно, это не означает, что в ближайшее время у Пекина появятся свои источники экстремального ультрафиолетового излучения — сперва придется повысить выходную мощность и долгосрочную стабильность работы, а также обзавестись рядом других технологий и наладить цепочки поставок. Тем не менее, достижение наглядно демонстрирует стремление Китая добиться независимости в полупроводниковой промышленности.

Как стало известно из отчета американского Центра технологий и государственного управления, Китай запасся сотнями установок для иммерсионной DUV-литографии ASML, которые потенциально могут использоваться при производстве 7-нм чипов. По оценке организации, с 2012 года китайские производители микросхем получили около 343 таких сканеров.

Источник